西湖大学团队突破:干法转移实现晶圆级单晶二维半导体柔性集成

2026/04/28 07:44阅读量 9

西湖大学孔玮教授团队成功将单晶二硫化钼薄膜通过“干法转移”技术高质量集成于柔性基底,突破了传统湿法工艺的局限。该成果发表于《自然·电子》期刊,为高性能柔性电子器件的发展提供了新的技术路径。这一进展标志着二维半导体转移集成技术从湿法向干法路线的关键跨越。

事件概述

西湖大学工学院孔玮教授团队在二维半导体柔性集成领域取得重要突破,成功实现了晶圆级单晶二硫化钼(MoS₂)薄膜在柔性基底上的高质量集成。相关研究成果已发表于国际权威期刊《自然·电子》(Nature Electronics)。

核心信息

  • 技术路线革新:团队将单晶二维半导体的转移集成技术从传统的“湿法”工艺推进至“干法”路线,有效解决了长期制约高性能柔性电子发展的技术瓶颈。
  • 关键材料:实验对象为晶圆级单晶二硫化钼(MoS₂)薄膜,这是一种典型的二维半导体材料。
  • 集成质量:在柔性基底上实现了高质量集成,保持了材料的单晶特性与优异性能。
  • 学术发表:成果由科技日报报道,并正式刊登于《自然·电子》期刊。

行业意义

该研究为柔性电子、可穿戴设备及下一代半导体器件的制造提供了全新的解决方案,推动了二维半导体材料从实验室研究向实际应用的转化进程。

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