华泰证券：光模块上游核心材料迎爆发期，InP与薄膜铌酸锂成关键
2026/04/22 07:43阅读量 2
华泰证券研报指出，随着800G、1.6T光模块需求激增及3.2T时代临近，光模块上游核心材料迎来重大发展机遇。其中，InP衬底因光芯片需求拉动呈现供不应求态势；薄膜铌酸锂调制器凭借低功耗、高带宽优势，有望在3.2T可插拔方案中实现导入。两大产业成长逻辑清晰，产业链空间广阔。
事件概述
华泰证券发布研报，重点分析光通信领域上游核心材料的发展前景。报告认为，在800G、1.6T光模块需求量快速提升的背景下，叠加未来3.2T时代的到来，上游核心材料环节将显著受益。
核心信息
1. InP衬底（磷化铟衬底）
- 定位：光芯片上游的核心原材料。
- 市场状态：受光芯片厂商需求快速拉动，行业目前呈现供不应求趋势。
- 驱动因素：下游光模块升级直接带动对InP衬底的采购量增长。
2. 薄膜铌酸锂（Thin-film Lithium Niobate）
- 应用场景：主要用于制备调制器。
- 技术优势：具备低功耗、高带宽等显著特性。
- 未来展望：预计将在3.2T可插拔光模块方案中迎来关键的导入窗口期，产业链成长空间广阔。
结论
随着光传输速率向3.2T演进，上游材料端的结构性机会日益凸显，InP衬底与薄膜铌酸锂成为当前值得关注的核心赛道。