DRAM双雄疯狂囤积EUV光刻机：AI需求倒逼下的产能博弈与未来隐忧

事件概述

2026年半导体行业正经历由AI引发的存储需求爆发，导致DRAM制造巨头SK海力士与三星电子展开了一场针对极紫外（EUV）光刻机的“抢椅子”游戏。作为先进制程芯片生产的核心约束条件，EUV光刻机的获取能力直接决定了企业在1c DRAM及高带宽内存（HBM）领域的竞争格局。

核心事实与数据

1. SK海力士：确认巨额订单

• 交易详情：SK海力士已向韩国监管机构提交文件，确认将在2027年12月31日前向荷兰ASML采购价值11.95万亿韩元（约79.7亿美元）的EUV光刻机。这是近年来ASML客户公开的最大单笔EUV采购订单。
• 设备规模：据伯恩斯坦公司分析师预测，该订单将使SK海力士在两年内新增约30台EUV光刻机。
• 部署规划：
  • 龙仁新晶圆厂：计划于2027年2月投产，将部署部分新购设备。
  • 清州M15X工厂：专门用于生产高带宽内存（HBM），将部署其余设备。
• 战略意图：旨在满足日益增长的内存芯片需求，特别是为英伟达等科技巨头提供DDR5、LPDDR和GDDR7等产品，并基于第六代10nm级1c制程打造HBM4E内存。

2. 三星电子：传闻与布局

• 市场传闻：韩国媒体Sedaily援引知情人士称，三星已确定向ASML和佳能订购约70台光刻机（含20台EUV），总金额约10万亿韩元（约67亿美元）。三星方面随后回应称尚未作出最终决策，但该消息折射出行业对设备的迫切需求。
• 产能规划：
  • 1c DRAM产能：计划在2025年Q4达到月产6万片，2026年Q2新增8万片，Q4再增6万片，目标年底月产能达20万片。
  • HBM进展：2026年2月宣布率先达成HBM4量产并向英伟达发货，产品将搭载于Rubin GPU中。同时配合华城H3工厂及平泽P3、P4工厂扩大HBM4产能。
• 市场份额动态：2025年Q3，三星DRAM销售额环比增长29.6%，份额回升至34.8%，重新夺回行业榜首；SK海力士以34.4%紧随其后，差距仅0.4个百分点。

3. 供需矛盾与产能瓶颈

• ASML供给能力：
  • 历史数据：2023年至2025年，ASML EUV年出货量维持在40-55台区间（分别为53台、44台、48台），呈现缓慢线性增长特征。
  • 积压情况：截至2025年底，ASML在手订单达388亿欧元，其中EUV系统积压订单高达255亿欧元（占比65%）。
  • 竞争挤压：若三星追加20台订单，两家巨头合计50台的采购量将占ASML两年产能的一半以上，可能大幅挤压台积电、英特尔等其他头部客户的配额。
• 技术依赖度：1c DRAM是10nm级以下工艺量产的核心前提，多层EUV光刻是提升单Die密度与良率的关键。相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM可直接复用现有产线，生产效率更高，成为AI服务器与移动终端的基础核心。

行业趋势与隐忧

1. 短期刚需 vs 长期过剩

• 短期逻辑：面对AI推理应用对通用DRAM需求的激增，以及HBM4/HBM4E的技术迭代窗口期，当下抢购EUV设备是确保近期市场竞争力和产品结构升级的必然选择。
• 长期风险：三星内部预计存储短缺将于2028年前后缓解，警惕产能集中释放导致的过剩风险。然而，由于EUV光刻机存在硬约束，若不现在抢购，未来几年将彻底失去高端赛道竞争力。因此，当前的激进扩产与长期的风险防控并不矛盾。

2. 技术路线演变

• 从光刻到刻蚀/沉积：随着3D堆叠存储（如3D NAND层数向1000层迈进，DRAM亦跟进）的发展，单纯依靠光刻机缩小特征尺寸的策略将放缓。
• 新增长点：未来半导体制造重点将转向刻蚀与薄膜沉积工艺。例如，3D堆叠层数增加将导致刻蚀设备用量占比指数级增长（从32层的35%升至128层的48%），TSV工艺中刻蚀和填充设备占比接近70%，ALD与CVD协同工艺要求也显著提升。
• 影响：DRAM对EUV光刻机的依赖程度在未来可能明显低于当前水平，但短期内仍是决胜关键。