三星电子2026年HBM出货量预计突破100亿Gb
受英伟达、博通及AMD等客户需求驱动，三星电子计划将2026年HBM（高带宽内存）出货量提升至超过100亿Gb。公司存储器开发执行副总裁黄相俊确认，正加速扩大产能，目标是将今年产量提高至去年的三倍以上。这一扩张计划直接响应了AI芯片市场对高性能存储的迫切需求。
事件概述
三星电子基于当前市场需求，调整了2026年的HBM产能规划，预计全年出货量将超过100亿Gb。
核心信息
- 需求驱动方：主要客户包括英伟达（NVIDIA）、博通（Broadcom）和AMD。
- 产能目标：三星计划将2026年的HBM产量提升至去年水平的三倍以上。
- 官方表态：三星电子存储器开发执行副总裁黄相俊表示，公司正在快速扩大HBM产能以满足激增的订单需求。
背景与影响
随着人工智能基础设施建设的加速，对高带宽内存的需求持续攀升。三星此次大幅扩产旨在巩固其在HBM市场的供应地位，以应对来自全球顶级芯片厂商的强劲采购需求。