JEDEC 联合内存厂商制定 DDR6 标准，传统 DIMM 插槽或将被 CAMM2 取代
JEDEC 与美光、SK 海力士、三星等主流内存制造商正共同推进下一代 DDR6 内存标准的制定。该标准计划将数据传输带宽提升至 17,600 MT/s，并采用更细粒度的子通道设计以降低电负载。同时，外形上可能全面转向低矮的 CAMM2 模块，从而淘汰传统的垂直 DIMM 插槽结构。
事件概述
JEDEC 联合主要内存制造商（美光、SK 海力士、三星）正在共同制定下一代内存标准 DDR6。随着新标准的推进，业界熟悉的传统内存条及 DIMM 插槽架构面临被替代的风险。
核心信息
- 通道架构变革：DDR5 将传统 64-bit 通道拆分为两个 32 位子通道；DDR6 将进一步细分为 4 个 24 位子通道，旨在降低每个通道的电负载。
- 性能提升：新一代内存的数据传输带宽预计将提高至 17,600 MT/s。
- 物理形态演进：新一代内存模块 CAMM2 (Compression Attached Memory Module) 将摒弃传统的垂直安装方式，转而采用低矮的螺栓锁住设计。这种设计有助于缩短 CPU 与内存芯片之间的距离，CAMM2 极可能成为 DIMM 标准的直接接替者。