美光财报超预期:AI 驱动存储价格暴涨,周期“紧箍咒”能否打破?

美光科技发布2026财年第二季度财报,营收达238.6亿美元,环比激增75%,毛利率高达74.4%,均大幅超越市场预期。业绩增长主要由DRAM和NAND产品均价分别上涨65%和78%驱动,其中DDR及HBM需求因AI从训练转向推理而显著回升。公司下季度指引收入预期为327.5-342.5亿美元,毛利率预计升至81%,但管理层对2027年后的资本开支持谨慎态度,显示行业仍受周期性因素制约。

事件概述

美光科技(Micron Technology, MU.O)于北京时间2026年3月19日盘后发布了2026财年第二季度(截至2026年1月)财报。在AI大模型重心从训练转向推理的背景下,存储市场需求结构发生变化,带动DRAM和NAND产品价格大幅上涨,使美光本季度业绩远超市场预期。

核心财务数据

  • 营收表现:本季度总营收为238.6亿美元,环比增长75%,显著高于上调后的市场一致预期(199亿美元)。
  • 盈利能力:毛利率达到74.4%,高于预期的69%;核心经营利润为161亿美元,核心经营利润率提升至67.6%
  • 业务驱动:收入增长主要源于DRAM和NAND两大业务板块,两者营收环比增幅均在70%以上。

分业务分析

1. DRAM业务(占比约80%)

  • 营收与量价:本季度实现营收188亿美元,环比增长73.6%。其中,平均售价(ASP)环比提升约65%,出货量环比增长5%。
  • 细分产品
    • 传统DDR:贡献最大增量,预计营收约160亿美元,环比增长超80%。随着AI推理需求增加,CPU侧DDR需求量显著提升(如单颗Vera CPU DDR需求达1.5TB,是Grace的3倍),且英伟达Rubin CPX选择GDDR7而非HBM,进一步拉动需求。
    • HBM(高带宽内存):预估营收约27亿美元,环比增加约5亿美元。受益于HBM3E和HBM4的量产出货。目前美光处于英伟达二供位置,随着三星HBM3E通过认证,三家厂商竞争格局趋于平衡。

2. NAND业务(占比约20%)

  • 营收与量价:本季度实现营收50亿美元,环比增长82%。出货量仅微增2%,但均价环比大幅增长78%
  • 供需逻辑:此前NAND市场低迷导致产能缩减,而AI需求延伸至NAND领域(如英伟达Rubin架构新增ICMS平台,每个GPU可额外扩展16TB NAND作为“外挂内存”),供需错配推动价格暴涨。

未来指引与展望

  • 下季度指引:2026财年第三季度营收预期为327.5-342.5亿美元(市场预期268亿美元),毛利率预期约为81%(市场预期76%)。这表明存储产品在下季度将继续维持涨价趋势。
  • 资本开支:将2026财年资本开支上调至250亿美元(上季度为200亿美元),高于市场预期。对于2027财年,管理层表示将大幅提升资本开支,但在分析师交流中暗示2027财年之后的资本开支可能回落。
  • 客户保障:目前对核心客户的中期需求满足度约为50%-66%,较三个月前无明显变化。公司已签署首个5年期战略客户协议(SCA),但更多被视为深化合作而非长期锁单。

关键关注点与风险提示

  1. 周期性特征:尽管短期业绩“炸裂”,但存储行业仍具强周期性。当前估值(约8倍PE)处于历史周期高点区间(5-15倍PE)的下沿,市场更关注盈利持续性而非短期爆发力。
  2. 供应链扰动:三星电子员工计划于5月21日开始罢工18天,若重启生产线需耗时两个月,可能加剧供应紧张并推高价格。
  3. 长期不确定性:管理层对2027年之后的供需缺口判断持谨慎态度,且2027年后资本开支存在回落风险,这可能限制公司估值的长期提升空间。
  4. 技术路线演变:AI算力瓶颈正从“算力端”转向“存储端”。随着模型推理需求增加,存力(Memory Wall问题)的重要性日益凸显,数据中心的主要矛盾已发生转移。

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