车规级碳化硅厂商利普思获亿元融资，加速布局AI算力基建
无锡利普思半导体完成亿元PreB+轮融资，资金将用于在扬州建设专业化车规级SiC模块封装测试基地。公司SiC模块已在电网、新能源重卡等领域实现量产，并正推进在AI数据中心固态变压器（SST）场景的验证与放量。新基地规划年产能300万只，预计2027年具备超200万只交付能力，以支撑电网及AI算力基础设施升级需求。
事件概述
高性能碳化硅（SiC）模块厂商无锡利普思半导体有限公司（简称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资。新投资方包括扬州国金和扬州龙投资本。本轮融资旨在支持公司在江苏扬州布局专业化的车规级SiC模块封装测试基地，并加大市场推广力度。
核心信息
- 企业背景：利普思成立于2019年，专注于第三代功率半导体SiC模块的设计、生产与销售。公司拥有高可靠性封装材料专利及自主正向设计能力，是国内较早采用自主高导热环氧灌封技术的厂商之一。
- 产品应用现状：
- 已量产领域：SiC模块已在头部电网设备公司、新能源重卡公司及头部变压器企业中实现稳定量产。
- 技术优势：相比传统IGBT模块，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，适用于高压高功率场景。
- 市场表现：产品已出口至全球20多个国家，2025年海外销售占比接近50%。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。
- AI算力中心布局：
- 应用场景：随着算力需求激增，基于SiC器件构建的固态变压器（SST）成为提升数据中心供配电效率和空间利用率的关键设备。
- 进展：利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST项目中通过样品测试，部分项目处于可靠性验证阶段。
- 预期：预计2027年前后，相关产品在AI算力电源领域将迎来可观放量。
新项目规划
- 扬州基地建设：
- 总投资：10亿元人民币。
- 产能目标：规划年产能300万只模块。一期产线预计2026年竣工，2027年3月正式投产。
- 交付能力：预计2027年具备交付超过200万只模块的能力。
- 技术升级：新工厂将建立完全分离的专用SiC产线，引入全自动化流水线，支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发，严格遵循高端车规标准的质量与可靠性体系。
行业趋势
近年来，随着上游衬底和外延产能扩张及成本下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代加速，SiC功率器件年复合增长率已超过30%。除新能源汽车外，AI数据中心已成为SiC应用的下一阶段重要增长点。