苏姿丰首访韩国抢滩HBM4，AI存储进入超级周期
AMD首席执行官苏姿丰将于3月18日首次访韩，会见三星电子及Naver高层，旨在锁定HBM4等关键存储芯片供应以应对英伟达竞争。在AI算力需求爆发背景下，全球HBM市场供需结构重构，预计2026年需求将激增76%，短缺或持续至2028年。与此同时，中国长鑫存储等企业加速推进HBM3量产及上市计划，试图在国产替代浪潮中抢占先机。
事件概述
AMD董事长兼首席执行官苏姿丰（Lisa Su）将于3月18日开启首次访韩之旅，期间将会见三星电子会长李在镕及韩国互联网巨头Naver公司高层。此次行程恰逢英伟达GTC大会期间，显示出芯片巨头在供应链层面的激烈博弈。苏姿丰此行核心目标在于提前锁定最新一代高带宽内存（HBM4）的稳定供应，以防在GPU及ASIC芯片竞争中处于劣势。
核心信息：AI驱动存储“超级周期”
- 需求爆发：受微软、谷歌、亚马逊、Meta等云厂商资本开支激增影响（2025年超4000亿美元，预计2026年达6500亿美元），AI服务器对内存消耗是传统服务器的8倍以上。高盛预测，2026年全球HBM需求将同比增长76%。
- 供应瓶颈：三星、SK海力士和美光科技三大巨头被迫将通用DRAM产能转向HBM，导致产业链价格飙升。由于新建晶圆厂周期长、技术良率要求高且产线频繁切换规格，行业分析认为产能短缺问题至少将持续至2028年。
- 竞争格局重塑：
- SK海力士：凭借高良率和快速迭代，已成为英伟达HBM主要供应商，2025年营业利润历史首次超越三星。
- 三星电子：此前在AI HBM领域反应滞后，但近期已宣布率先向英伟达出货首批HBM4产品，并计划于5月大规模供货。
- 美光科技：在HBM4性能与产能进度上相对落后。
- 未来趋势：HBM4E定制化产品竞争已启动，三星计划采用自研2nm工艺，而SK海力士和美光则深度绑定台积电先进制程生态。
值得关注：国产存储崛起与挑战
- 长鑫存储：作为国内DRAM市占第一的厂商，其全球产能占比已超4%。目前正启动HBM3样品送测并计划今年全面量产，同时已向科创板递交招股书，拟募资295亿元用于技术升级，市场预期估值高达1500亿元。
- 长江存储及其他：长江存储在3D NAND闪存领域稳居第一梯队；佰维存储、宏芯宇电子、江波龙等厂商也迎来业务增长期。
- 现实挑战：尽管通用存储领域进展显著，但在核心工艺、先进封装等关键技术环节，国产HBM仍面临较大阻碍。在全球芯片生态分化背景下，实现从设备、材料到封测的全产业链协同攻关将是突破的关键。