MemSilicon流片国际首款1T4R架构1Gb RRAM芯片，突破高密度存储瓶颈
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度RRAM芯片“泰山一号”流片，这是全球首款采用1T4R结构的1Gb级阻变存储器芯片。该芯片基于28nm CMOS工艺，单芯片容量达1Gb，密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。这一成果标志着1TnR技术从实验室研究正式迈向Gb级产品化阶段，为AI终端和高性能SoC提供了兼具高密度、低功耗与高可靠性的新型非易失性存储解决方案。
事件概述
2026年10月12日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布成功流片其首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”。该芯片基于创新的1TnR（一个选择晶体管对应多个阻变存储单元）技术路线，实现了从早期研究到Gb级芯片产品化的关键跨越。目前芯片已完成流片，正处于验证推进阶段。
核心技术与性能指标
“泰山一号”采用了28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，即在单个选择晶体管下共享四个阻变存储单元。这种设计旨在降低单位面积内的晶体管面积开销，从而在有限芯片空间内集成更多存储单元。
主要技术指标如下：
- 单芯片容量：1Gb
- 存储密度：30Mb/mm²
- 访问延时：< 20ns
- 可靠性保障：集成片上硬件纠错电路，构建“电路自适应+硬件纠错”双重读保障机制。
该方案通过CMOS标准工艺兼容的后道集成方式，解决了传统SRAM密度低、嵌入式Flash随工艺微缩集成难的问题，实现了密度、容量、成本和速度的平衡。
技术突破与挑战应对
1TnR结构虽然提高了密度，但也带来了非目标电流路径、读写干扰及可靠性等挑战。“泰山一号”在电路与架构层面实现了多项自主创新：
- 抑制漏电流：引入负压设计与统一复位电路方法，显著降低阵列漏电流，提升功耗效率与可靠性。
- 解耦读写路径：设计多电压域字线驱动电路，实现高、低压读写路径彻底解耦，并提出自适应保护偏置电压技术，有效降低误写风险。
- 攻克读良率难题：开发片上自适应跟随读取电路，解决Gb级大容量下的读可靠性问题，配合硬件纠错确保数据准确。
行业背景与应用前景
随着高性能SoC、具身智能及AI PC等设备对权重、KV Cache及参数存储需求的激增，存储器需在保持低延迟和低功耗的同时满足大容量需求。目前，三星、台积电、格芯等晶圆代工厂已将RRAM纳入先进工艺节点路线图，英飞凌也在28nm MCU中选定RRAM方案。
MemSilicon围绕政策导向与技术需求，布局三条产品线：
- 嵌入式RRAM IP：面向显示驱动、MCU、SSD控制器及安全芯片，已进入客户场景。
- 高密度大容量RRAM：持续探索1TnR结构及三维集成，满足AI推理存储需求。
- 混合存算技术：结合RRAM与DRAM，面向端侧推理场景，优化数据搬运路径与能耗平衡。
此次“泰山一号”的流片，标志着中国在新型非易失性存储领域取得了系统性突破，具备重要的产业化潜力和国际竞争力。